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新闻动态
 
高频介质损耗因数及相对电容率项目技改动态
录入:admin   浏览次数:0   发表时间:2016-07-08

高频介质损耗因数及相对电容率项目技改动态

经一年努力,中心新建成洁净实验室(洁净度为10000级),配置了哈弗莱2830/2831电桥、安捷伦阻抗分析仪、AET空洞共振腔等仪器,总价值180余万元,实现了对介损和相对电容率检测的低、中、高频率的全覆盖。
介质损耗因数和相对电容率项目检测频段及对应样品尺寸:

频率点/频段

使用仪器

试样尺寸

检测标准

5060Hz

哈弗莱2830/28312821电桥

Φ100mm圆片或方片,样品厚度≤10mm

GB/T 1409-2006

1kHz-10MHz

安捷伦阻抗分析仪

Φ50圆片或方片,样品厚度≤7mm

参考GB/T 1409-2006

1GHz

3GHz

5GHz

10GHz

日本AET空洞共振腔

80mm×宽3.0mm×厚1.0mm

其中1GHz频段的样品厚度可适当放宽到2mm

参考GB/T 1409-2006



薄膜实验室全景

AET空洞共振腔

安捷伦阻抗分析仪

哈弗莱2830/2831电桥

     欢迎有测试需求的客户致电我中心进行测试咨询和洽谈。

 

机械工业电工材料产品质量监督检测中心

2016年7月8日


 
 
 
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